By Rudolf Müller
Aus den Besprechungen: "... Das Buch ist in einer sehr guten Didaktik geschrieben. Dadurch wird dem Leser das Verständnis des oft komplizierten Geschehens im Halbleiter leicht verständlich gemacht. Ohne die Exaktheit darunter leiden zu lassen, werden so die wesentlichen Zusammenhänge, verbunden mit den wichtigsten mathematischen Beziehungen, dargestellt. Dadurch wird effektiv zwischen den Grundlagen aus der theoretischen Physik zu den ingenieursmäßigen Anwendungen vermittelt. Übungen mit Lösungen sind zur Vertiefung und Überprüfung des erworbenen Wissens nach jedem Abschnitt eingefügt..." #Elektronische Informationsverarbeitung#
"...leicht verständlich geschrieben. Jedes Kapitel wird mit einer Reihe von Übungsaufgaben abgeschlossen, die zur Vertiefung des Stoffes bzw. zur Selbstkontrolle für das Verständnis dienen sollen. ... eignet sich daher sowohl als vertiefender Begleittext zu den entsprechenden Fachvorlesungen als auch zum Selbstunterricht." #Nachrichtentechnische Zeitschrift#
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Gruppe Donatoren mit Niveaus in der Nähe der Leitungsbandkante und Elemente der IH. Gruppe Akzeptoren mit Niveaus in der Nähe der Valenzbandkante. Bemerkenswert ist das Verhalten von Gold, welches Niveaus in der Mitte des verbotenen Bandes ergibt. Bei der Beschreibung der Rekombinationsmechanismen (S. 93) wird darauf noch eingegangen. 3 Fermi-Verteilungsfunktion Die bereits erwähnte Wahrscheinlichkeit W (E) für die Besetzung eines Zustandes durch ein Elektron ist in Abb. 35 als Funktion der Energie gezeichnet.
Cos ß) ist der Mittelwert des cos des Streuwinkels. Zur Vereinfachung der Schreibweise werden im folgenden die Mittelwertsklammern bei der Geschwindigkeit weggelassen. Analoge Betrachtungen kann man für die Löcherbewegungen anstellen, so daß insgesamt gilt: Elektronen: V Löcher: Vp fl,n T(n), T(p) 40 = e n --m: T(n); sind Relaxationszeiten. = = fl,n fl,pE, E, (2/16) Abb. 20 zeigt die Ladungsträgergeschwindigkeit als Funktion der elektrischen Feldstärke. Bis zu Feldstärken der Größenordnung 1000 V cm-1 und bis zu Geschwindigkeiten um 106 cm s-1 ist die Geschwindigkeit proportional der Feldstärke (45°-Gerade).
JI: 10'4cm-3 r-- ~ f=::::: ~ N=10'4 cm-3 r-- :-. ;;:::::: r-- 1 I I 10'9 cm -l I 50 - :,.... 100 150 'C 200 T- Abb. 23. Temperaturabhängikgeit der Driftbeweglichkeiten in Si; Dotierungskonzentration als Parameter, [18]. 5 Leitfähigkeit Bei Vorhandensein von Elektronen und Löchern in Halbleitern ist die Driftstromdichte gegeben durch: idrift = (J (J E, = e (flp p + fln n) . (2/18) Aus der Temperatur- und Dotierungsabhängigkeit von Beweglichkeit und Trägerdichte erhält man die Temperatur- und Dotierungsabhängigkeiten der Leitfähigkeit.