By Dietmar Ehrhardt
Prof. Dr.-Ing. Dietmar Ehrhardt lehrt an der Universität Gesamthochschule Siegen im Fachgebiet Hochfrequenztechik.
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Objektorientiert strukturiertes Programmiersystem für NC-Mehrschlittendrehmaschinen
Die vorliegende Arbeit entstand wahrend meiner Tatigkeit als wissenschaftlicher Mitar beiter am Institut fur Steuerungstechnik der Werkzeugmaschinen und Fertigungseinrich tungen (ISW) der Universitat Stuttgart. Mein besonderer Dank gilt Herrn Prof. DrAng. A. Storr fur seine Unterstutzung und seine kritischen Anregungen bei der Erstellung dieser Arbeit sowie fur die Ubernahme des Hauptberichts.
Darstellungen von Gruppen: Mit Berücksichtigung der Bedürfnisse der Modernen Physik
Die Matrizen, die zu Transpositionen gehören, nicht nur (wie bei der natürlichen Darstellung) leicht berechnen, sondern unmittelbar hin schreiben kann. Und die orthogonale Darstellung ist es ja, die bei den Anwendungen quick immer gebraucht wird (IV § five und 6). In VIII § five ist die Freudenthalsche explizite Spindarstellung der Drehgruppe hinzugekommen, die ebenso wie der oben genannte Satz über die Darstellungsgrade bereits in die 1963 erschienene englische Ausgabe des Buches aufgenommen worden conflict.
Nach der Methode der kleinsten Quadrate nebst Anwendung in der Geodsie.
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107 noch vereinfachen laBt. AIle h-Parameter der Basisschaltung sind im folgenden angegeben hllb .. hl2b .. h2lb .. 109) e 1 + hZl e h hZZb .. 111) mit ~e = hu e . h zze - h lZ . 1h22e E 1 U2 C Abb. 40 dienen. 116) Bei diesen Werten ist zu beachten, daB sie ohne auBere Beschaltung ermittelt wurden. 5 Vergleich der verschiedenen Schaltungsarten In den nachfolgenden Abbildungen sind Ein- und Ausgangswiderstand und die ver- schiedenen Verstarkungen (Strom-, Spannungs- und Leistungsverstarkung) in Abhangigkeit der auBeren Beschaltung fur einen typischen Bipolartransistor angegeben.
I........... I I \ 10 -------{----t-\ : \ \ \ \ : :: l09("'/5 -1) Abb. 3: Betrag der Kleinsignalstromverstarkung iiber der Frequenz fiir einen typischen Bipolartransistor Die Frequenz wp ist definiert als die Frequenz, wo der Betrag von P(iw) urn 3 dB gegeniiber dem Wert fiir niedrige Frequenzen abgesunken ist. 3 geht hervor, daB WT bestimmt werden kann, indem man den Betrag der frequenzabhangigen Stromverstarkung IP(iw)1 bei irgendeiner Frequenz Wx miBt, wo IP(iw)1 mit 6 dB/Oktave fiillt. 11) Diese Methode wird in der Praxis benutzt, da Abweichungen yom idealen Verhalten des Transistors meist dann auftreten, wenn die Stromverstarkung gegen eins geht.
F'YMHz __--~-=--- ---_--l-21rTF 400 300 200 100 o o 5 10 15 20 Abb. 4: Typischer Verlauf von fT in Abhangigkeit des Kollektorstromes fUr einen Bi po lartransistor Der Abfall von fT bei hohen Kollektorstromen laBt sich mit diesem einfachen Zusammenhang nicht mehr beschreiben. Hier kommt der Transistor in den Bereich der Hochstrominjektion in der auch die KurzschluBstromverstarkung ~ abnimmt. 17) verbunden. Berechnungen des Transistorverhaltens lassen sich vereinfachen, wenn man diese komplexe Impedanz in zwei Teilimpedanzen umrechnet, die jeweils zwischen Basis und Emitter bzw.